SiGeHBT基區結構的優化對歐拉電壓的影響

關 鍵 詞:電氣論文
資料等級:SiGeHBT基區結構的優化對歐拉電壓的影響
發布時間:2019-3-6
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SiGeHBT基區結構的優化對歐拉電壓的影響 SiGe HBT因其優異的高頻性能和較低的成本優勢,逐漸應用于微波電路領域。電流增益 和歐拉電壓VA(Early Voltage)的乘積對于微波應用是一項重要的參數。如何通過工藝和基區材料的調整來優化歐拉電壓 ,已成為器件能否在微波下正常工作的主要保證。對于硅BJT,歐拉電壓主要與基區寬變效應有關,受基區摻雜的影響較大。但在SiGe HBT中則不同,由于基區的摻雜較高,一般到19次方, 基本上不受這一項的影響。Prinz和Sturm最早介紹了SiGe HBT中Ge組分對 乘積的影響Eli。他們認為, 主要受基區與集電區交界處的Ge組分影響,BC結界面的Ge組分越高,的值越大。
編輯評價
歐拉電壓是SiGe HBT一項重要的直流參數,受到基區結構(如Ge組分)的影響。研究發現,高溫過程會導致硼的外擴散,從而影響異質結的位置,使歐拉電壓受到影響。實驗發現,通過優化基區結構,加厚CB結處i-SiGe厚度,可獲得 =520 V, :=:164,320 V的SiGe HBT。
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